Panier
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Samsung Galaxy A06 64Go109,00 €
Samsung Galaxy A07 128Go129,00 €
Samsung Galaxy A17 128Go189,00 €
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| Attribut | Valeur |
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 11 A |
| Tension Drain Source maximum | 600 V |
| Type de boîtier | TO-220FP |
| Type de montage | Traversant |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 360 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 4V |
| Tension de seuil minimale de la grille | 2V |
| Dissipation de puissance maximum | 25 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -25 V, +25 V |
| Longueur | 10.4mm |
| Largeur | 4.6mm |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Matériau du transistor | Si |
| Charge de Grille type @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Hauteur | 16.4mm |
| Série | MDmesh |
AR3809
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